Key ASIC Bersedia Peroleh Faundri SiC Dan Bangun Teknologi GaN | Malaysia News
February 18, 2025

Key ASIC Bersedia Peroleh Faundri SiC dan Bangun Teknologi GaN

Key ASIC Bersedia Peroleh Faundri SiC dan Bangun Teknologi GaN

Key ASIC Bersedia Peroleh Faundri SiC dan Bangun Teknologi GaN

Kuala Lumpur, MTN – Pakar cip dan sistem IoT Key ASIC Bhd bersedia untuk memperoleh 100 peratus pegangan faundri Amerika Syarikat dengan Silikon Karbida (SiC) dan membangunkan teknologi Galium Nitrit (GaN).

Dalam satu kenyataan, Key ASIC berkata ia telah melaksanakan analisis awal dan penilaian wajar yang membawa kepada pemeteraian surat niat (LOI) dan akan menjalankan penilaian wajar yang diperlukan sebelum menandatangani perjanjian muktamad.

“Langkah strategik untuk memperoleh fabrikasi teknologi semikonduktor kompaun adalah tepat pada masanya untuk syarikat berkembang dalam industri kenderaan elektronik yang berkembang pesat dan pasaran pengecasan pantas,” kata Pengerusi dan Ketua Pegawai Eksekutif Eg Kah Yee.

“Kami berhasrat untuk membina kapasiti tambahan dengan mengembangkan kemudahan sedia ada di fabrikasi dan juga kemudahan baharu di Asia untuk memberi perkhidmatan kepada pasaran Asia yang berkembang pesat dalam kenderaan elektronik,” tambahnya.

Fabrikasi kini sedang membuat cip untuk pengeluar modul automotif, pembuat kereta dan pengeluar peralatan grid kuasa di AS.

“Bukan sahaja faundri itu mempunyai teknologi termaju dalam silikon karbida, faundri itu juga telah membangunkan teknologi Galium Nitrit (GaN). Pengecas dinding teknologi GaN terbina dalam biasanya lebih dipercayai dan ringan berbanding peranti tradisional,” katanya.

Saiz pasaran SiC diramalkan bernilai AS$7.1 bilion menjelang 2027 pada kadar pertumbuhan tahunan kompaun (CAGR) sebanyak 16 peratus, menurut laporan oleh Market Research Future.

Hari ini, kereta konvensional akan menggunakan kira-kira 300 cip dan kereta elektronik memerlukan sebanyak 3,000 cip termasuk banyak peranti kuasa.

 

[BERNAMA]

Facebook Comments

Author Profile

Maulia

About The Author

Leave a Reply